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| Press Releases |
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| Tuesday, April 12, 2016 |
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田中贵金属工业、S.E.I 开发出使用低温接合材料“AuRoFUSE(TM)”的高输出功率LED模组
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| 田中贵金属工业株式会社、株式会社S.E.I两家公司宣布，因采用了以次微米大小（万分之1厘米）金粒子为原料的低温接合材料“AuRoFUSE(TM)”，而开发出输出功率较过去产品更高的LED（发光二极体）模组。 more info >> |
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| Monday, February 29, 2016 |
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田中贵金属工业参展FC EXPO 2016
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区；执行总裁：田苗 明）表明，田中贵金属集团旗下经营制造事业的田中贵金属工业株式会社（总公司：东京都千代田区；执行总裁：田苗明）将于2016年3月2日（周三）至4日（周五），参加在东京国际展览中心举办的世界最大规模的燃料电池展示会“FC EXPO 2016 ～第12届［国际］氢能燃料电池展～”。 more info >> |
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| Thursday, November 26, 2015 |
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面向汽车、智能手机、家电产品 寿命长且价格低廉的无镉电气接点材料“CDF-10”自12月1日起正式开始量产
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗明）宣布开展田中贵金属集团制造业务的田中贵金属工业株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗明），就主要用于汽车与智能手机的无镉电气接点材料，成功开发了耐滑动磨耗性比以往更高的“CDF-10”，确立量产体制，并自12月1日起正式投产。 more info >> |
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| Thursday, October 1, 2015 |
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田中贵金属工业株式会社于硅谷设立TANAKA America 作为实施全球战略的据点
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田中控股株式会社宣布，将由开展田中贵金属集团制造业务的田中贵金属工业株式会社于2015年10月1日（周四），在位于最先进技术的发源地，美国西海岸硅谷地区的加州圣荷西设立TANAKA America Inc.，作为扩大田中贵金属集团全球事业的战略据点。
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| Thursday, September 17, 2015 |
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田中贵金属纪念财团最高颁发500万日元的「贵金属相关研究补助金」 于10月1日起开始征选研究主题
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗 明）发表一般财团法人田中贵金属纪念财团（代表理事：冈本英弥）自10月1日（周四）起至11月30日（周一）止，展开2015年度「贵金属相关研究补助金」的研究主题征选活动。 more info >> |
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| Thursday, September 10, 2015 |
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日本电镀工程株式会社（EEJA）在上海设立当地法人
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田中控股株式会社宣布,为扩大及强化中国市场的电镀业务，将由开展田中贵金属集团电镀业务的日本电镀工程株式会社于上海设立当地法人--EEJA上海，自9月10日（四）起开始运作。
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| Tuesday, July 28, 2015 |
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日本电镀工程株式会社(EEJA)于7月15日开始销售可形成和量产机型相同电镀层的半导体晶圆杯式超小型电镀实验设备
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| 田中控股株式会社宣布田中贵金属集团电镀业务发展之日本电镀工程株式会社已开发出可形成与量产机型相同电镀皮膜的半导体晶圆用的杯式超小型电镀实验设备—“RAD-Plater”，并于7月15日开始销售。 more info >> |
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| Wednesday, April 22, 2015 |
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确立钇系超电导线材用铜配向金属基板的量产体制
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗明）公开发表，负责田中贵金属集团制造业务发展的田中贵金属工业株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗明），自2015年4月起建置钇系超电导线材用铜配向金属基板的专用生产线，确立量产体制。 more info >> |
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| Tuesday, March 31, 2015 |
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田中贵金属集团公布“贵金属相关研究补助金”得奖者名单
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区、执行总裁：田苗明）今日发表田中贵金属集团2014年度“贵金属相关研究补助金”的得奖者名单。 more info >> |
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| Tuesday, March 10, 2015 |
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日本电镀工程株式会社(EEJA)与东京大学合作成功开发出领先世界各国，于p与n型有机半导体结晶上以电镀法使接触电极一体成形之技术
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| 田中控股株式会社（总公司：东京都千代田区；执行总裁：田苗 明）公开发表，负责田中贵金属集团电镀业务发展之日本电镀工程株式会社(Electroplating Engineers of Japan Ltd.)（总公司：神奈川县平塚市；执行总裁：田中 浩一郎，以下简称EEJA）与东京大学新领域创成科学研究所的竹谷纯一教授合作，领先世界各国，开发出于p型与n型（※1）两种半导体的有机场效应晶体管（以下简称OFET），以化学镀方法同时形成接触电极之技术（以下通称本技术）。 more info >> |
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